SiPM однофотонный детектор

Кремниевый фотоумножитель (Silicon photomultiplier, далее – SiPM) – новый тип фотодетектора, состоящий из лавинного диодного массива, работающей в режиме Гейгера. Однофотонный детектор SiPM отличается высоким коэффициентом усиления, высокой чувствительностью, низким напряжением смещения, нечувствительностью к магнитному полю и компактной структурой. Однофотонный детектор SiPM был изобретен в конце девяностых годов ХХ века и широко используется в таких областях, как физика высоких энергий и ядерная медицина (ПЭТ), представляя направление развития будущих детекторов очень слабого света.

СВЯЗАТЬСЯ С НАМИ

Основные параметры однофотонного детектора SiPM:
Эффективная площадь	3mmX3mm
Размер элемента изображения	15um
Количество микропоров	38800
Эффективность обнаружения	31%@430 нм, ctrl=0,7 В
Скорость темного счета	125кГц/мм3
Вероятность последовательных помех	18%
Вероятность остаточного импульса	5%
Время восстановления	15нс
Коэффициент усиления при пролете	150В/А
Выходная пропускная способность	12,5МГц
Напряжение смещения	0-1V
Входное напряжение	5VDC
Потребляемая мощность	350 мВт (typ.)
Внешний вид	40 мм × 50 мм × 19,8 мм
Рабочая температура	0-60oC